13 Minutės
Ataskaita paaiškina, kodėl kai kurie Galaxy S26 modeliai gali pabrangti
TSMC šiuo metu gamina pažangius programinius procesorius (AP) naudodama trečios kartos 3 nm proceso mazgą (N3P). Tas pats mazgas naudojamas Apple A19 ir A19 Pro lustams, varantiems iPhone 17 seriją, taip pat gaminami aukštos klasės AP, tokie kaip Qualcomm Snapdragon 8 Elite 5 ir MediaTek Dimensity 9500. Šio lygio gamybos mazgai reikalauja sudėtingų fotolitografijos etapų, aukštos klasės įrangos ir didelių investicijų į linijas, todėl jų kaštai ir tiekimo valdymas turi tiesioginį poveikį lustų kainai ir galutinių įrenginių kainodarai.
Procesorių gamyba 3 nm technologijomis apima daugybę faktorių: maskų kompleksumą, ekstremalios ultravioletinės (EUV) litografijos eigos skaičių, derinių ir validacijos (tape-out) išlaidas, taip pat pradinius nuostolius dėl žemesnio išeigos procento naujuose mazguose. Visi šie elementai didina vieneto savikainą, o kai gamintojas, pvz., TSMC, priima kainų korekcijas wafer'iams (silikoniniais diskais), tai greitai atsispindi tiekėjų ir įrenginių gamintojų grandinėse.
TSMC pakėlė silicio wafer kainas už savo 3 nm N3P procesą
Remiantis China Times pranešimu, TSMC padidino N3P wafer'ų kainas, o lustų dizaineriai perduoda šias papildomas išlaidas toliau. Pranešime teigiama, kad MediaTek moka apie 24 % daugiau, o Qualcomm – apie 16 % daugiau už N3P wafer'us. Ataskaita neatskleidžia aiškiai, ar šie padidinimai yra lyginami su ankstesne TSMC 3 nm versija (N3E), kurią naudojo Snapdragon 8 Elite ir Dimensity 9400, tačiau procentai rodo reikšmingą kainų pokytį tiekimo grandinėje.
Dėl to, kad Qualcomm ir MediaTek patiria didesnes wafer kainas, tikėtina, jog jie pakels savo baigtinių lustų kainas, kad išlaikytų pelningumą. Toks kainų šuolis gali sukelti tolimą grandininį efektą: originalių įrenginių gamintojai (OEM) gali peržiūrėti išankstines savo pardavimo kainas, kad padengtų padidėjusias komponentų išlaidas. Tai paaiškina, kodėl kai kurie Samsung Galaxy S26 modeliai kitais metais gali pasirodyti su didesnėmis kainomis. Panašus poveikis gali būti ir kitų gamintojų modeliams: pvz., vivo X300, kuriam prognozuojama naudoti Dimensity 9500, taip pat gali susidurti su kainų padidėjimu.
Reikėtų pažymėti, kad kainos perdavimas grandinėje nėra vienareikšmis: gamintojai gali dalį kaštų absorbuoti, optimizuoti gamybos grandinę, arba pasitelkti ilgalaikes sutartis, kad sumažintų vienkartinių kainų poveikį. Tačiau greiti žingsniai į rinką su ribota marža ir didelė konkurencija telefonų segmente verčia gamintojus peržiūrėti mažmenines kainas, ypač kai lustų kainos auga tiek ženkliai.
Jei svarstote, ar Apple taip pat mokėjo daugiau už savo 3 nm wafer'us, China Times praneša, kad taip. Vis dėlto svarbu suprasti skirtumą: Apple projektuojant savo AP tiesiogiai bendradarbiauja su TSMC ir neturi tarpinio trečiosios šalies lustų dizainerio, už kurį reikėtų papildomai mokėti. Tai pašalina vieną markup sluoksnį tarp TSMC gamybos ir galutinio produkto kūrimo, todėl Apple tiekimo grandinės kaštų struktūra skiriasi nuo kitų telefonų gamintojų, kurie perka lustus iš Qualcomm ar MediaTek.
Be tiesioginių sutartinių sąlygų, Apple taip pat gali naudoti ilgesnio laikotarpio gamybos rezervacijas arba strategines investicijas į tiekimo grandinę, kad išlygintų kainų šuolius. Tačiau net ir turint tokias priemones, pagrindinės medžiagų ir gamybos kaštų tendencijos vis tiek gali paveikti galutinę produkto kainodarą, ypač kai kalbama apie greitą technologinę migraciją į aukštesnės spartos mazgus.
Trečios kartos 3 nm mazgas tikimasi suteiks maždaug 5 % našumo padidėjimą esant tam pačiam energijos suvartojimui arba 5–10 % energijos sąnaudų sumažėjimą esant lygiems dažniams. Kai proceso mazgai mažėja, tranzistorių dydžiai mažėja, o tranzistorių tankis didėja – šis tankis paprastai matuojamas milijonuose tranzistorių kvadratiniame milimetre (MTr/mm²). Didesnis tankis dažnai reiškia didesnį funkcionalumą ant to paties ploto ir geresnę energijos efektyvumą, todėl MTr/mm² tampa vienu svarbiausių rodiklių vertinant lustų pajėgumus.
Techniniu požiūriu N3P siūlo ne vien tik skaičinius pokyčius: nauji tinkinimai metalinių sluoksnių, patobulintos jungtys (interconnect) ir optimizuotos dvipusės architektūros detalės leidžia didesnį dažnį arba mažesnį energijos suvartojimą tam pačiam našumui. Tai ypač svarbu mobiliems įrenginiams, kuriuose energijos sąnaudos ir šilumos valdymas reikšmingai lemia baterijos tarnavimo laiką bei terpinių funkcijų (pvz., aukšti dažniai pramogoms, dirbtiniam intelektui) elgseną.
Be to, svarbu paminėti, kad skirtingi lustų dizainai pasinaudoja N3P privalumais skirtingai: kai kurie gamintojai orientuojasi į gryną dažnio augimą, kiti – į energijos taupymą ar įdiegtų blokų (NPUs, ISP, GPU) optimizavimą. Todėl vienodai pagaminti wafer'ai gali lemti skirtingus galutinius našumo ir efektyvumo rezultatus priklausomai nuo lustų architektūros ir integracijos į sistemą.
Tikimasi dar didesnių lustų kainų kitais metais
Išlaidos gali vėl kilti, kai TSMC pradės didinti AP gamybą savo 2 nm mazge. Rinkos spekuliacijos teigia, kad 2 nm wafer'ų kainos gali būti net iki 50 % didesnės už dabartines 3 nm normas. Toks kainų šuolis reikštų didelį spaudimą lustų tiekėjams ir telefonų gamintojams, ypač tiems, kurie neturi tiesioginių užsakymų TSMC arba neturi pakankamai užimamų gamybos pajėgumų ilgalaikėms sutartims.
Pranešama, kad Apple yra rezervavusi maždaug pusę TSMC 2 nm pajėgumų, kas gali sumažinti Qualcomm ir MediaTek galimybes gauti pakankamai gamybos laiko naujiems 2 nm AP. Jei Apple užims didelę dalį pirmųjų partijų, kiti lustų dizaineriai turės arba derėtis dėl likusių pajėgumų, arba tęsti gamybą senesnėse linijose tolimesnį laiką, kas gali paveikti jų konkurencingumą pirmoje rinkos eilėje.
TSMC, kaip pranešama, planuoja gamybą apie 60 000 2 nm wafer'ų per mėnesį keturiose gamyklose (fabs). Tai leidžia suvokti, kad pradinis 2 nm gamybos pajėgumas bus reikšmingas, bet taip pat ribotas atsižvelgiant į didžiulį globalų poreikį. Anksčiausi 2 nm AP greičiausiai pasirodys aukščiausios klasės telefonuose, tokiuose kaip Samsung Galaxy S26 Pro ir Galaxy S26 Edge. Šie modeliai daugelyje regionų gali naudoti Samsung Exynos 2600 AP (išskyrus JAV, Kanadą ir Kiniją), gaminamą Samsung Foundry 2 nm mazgu.
Tiek Samsung Foundry, tiek TSMC 2 nm mazgai planuoja naudoti Gate-All-Around (GAA) tranzistorių architektūrą. GAA technologija apgaubia vartą (gate) visiškai aplink kanalo sritį, minimalizuodama nuotėkį (leakage) ir padidinant vairavimo srovę (drive current) – tai suteikia geresnį našumą esant mažesnėms energijos sąnaudoms. GAA yra reikšmingas žingsnis po tradicinių FinFET konstrukcijų ir leis tolesnį skalavimą bei energijos efektyvumo gerinimą mobiliuosiuose lustuose.
Pirmieji Apple 2 nm iPhone modeliai, kurių tikimasi kitais metais, greičiausiai turės A20 serijos AP. Apple, kaip ir anksčiau, sieks maksimaliai išnaudoti naujo mazgo privalumus, optimizuodama mikroarchitektūrą, litografiją ir integruotus komponentus (pvz., NPU, ISP) savo poreikiams. Tokie darbai dažnai suteikia Apple architektūrai pranašumą tiek dėl užsakomos didelės gamybos apimties, tiek dėl labai optimizuoto paketo tarp programinės ir aparatūrinės įrangos.
Žvelgiant toliau į ateitį, TSMC planuoja 2028 m. masinę 1,4 nm mazgo gamybą, tačiau yra planuojama perėjimas nuo nanometrų pavadinimų prie angstrų (Å) — pagal šią schemą 1,4 nm taptų A14 (1 nm = 10 Å). Pavadinimų pakeitimas atspindės naują mastą ir pramonės norą tiksliau apibūdinti technologinį sluoksnį, nes nanometrų terminija kartais praranda aiškumą tarp skirtingų gamintojų procesuose.
Už A14 ribų pramonė greičiausiai adoptuos naujas tranzistorių architektūras ir alternatyvias medžiagas, tokias kaip III-V junginiai ar nanovamzdeliai, kad išlaikytų mastelio didinimo tempą ir našumo augimą. Taip pat gali didėti dėmesys heterogeninei integracijai (chiplet architektūrai), kuri leidžia kombinuoti skirtingus procesus ir optimizuoti gamybos kaštus bei funkcionalumą.
Tokios technologinės permainos turi platesnį ekonominį poveikį: didėjant gamybos kaštams ir reikalaujant pažangesnės įrangos, gigantiški gamintojai turės dar labiau koncentruoti investicijas į pajėgumus ir sutartis. Tai gali padidinti rinkos koncentraciją, kur didžiausi rinkos žaidėjai įgauna pranašumą dėl finansinių ir sutartinių resursų, tuo tarpu mažesni dizaineriai gali ieškoti alternatyvų — pvz., specializuotų lustų, užsakomos gamybos kitose įmonėse arba vėlesnio atnaujinimo ciklo.
Galiausiai vartotojams svarbu žinoti, kad technologiniai pokyčiai paprastai yra dvigubi: jie atneša geresnį našumą ir energijos efektyvumą, tačiau gali laikinai pabranginti aukščiausios klasės įrenginius. Vartotojams, kurie nori naujausių technologijų, gali tekti sumokėti papildomai už pirmąsias bandomąsias partijas, o tiems, kurie gali palaukti, naujesnės kartos kaina dažnai stabilizuojasi per kelis ketvirčius, kai gamyba plečiasi ir tiekimo grandinės adaptuojasi.
Kaip vartotojai ir rinkos stebėtojai gali reaguoti į tokius kainų svyravimus? Galimos strategijos apima: ilgalaikius prenumeratos arba atnaujinimo planus su operatoriais ar gamintojais, pirkimą ne piko sezono metu, arba pasirinkimą modelių su stabilia kaina, kurie naudoja klasikinės kartos lustus. Verslui verta svarstyti diversifikaciją tiekimo grandinėje, strateginius sandorius su lustų gamintojais ir investicijas į optimizavimą per programinę įrangą, kad išlaikytų konkurencingumą griežtesniais kaštais.
Apibendrinant, TSMC kainų politika ir technologinė migracija į 2 nm bei vėlesnius mazgus formuos artimiausių metų lustų kainodarą ir galutinę išmaniųjų telefonų segmentų struktūrą. Gamintojai, turintys tiesiogines sutartis, didesnę gamybos apimtį arba galimybę strategiškai optimizuoti lustų dizainą, išliks konkurencingesni tuo metu, kai kiti gamintojai susidurs su didesnėmis sąnaudomis ir galimybe persvarstyti savo kainų strategijas.
Tikėtis dar didesnių lustų kainų kitais metais
Išlaidos gali dar labiau išaugti, kai TSMC padidins AP gamybą savo 2 nm mazgu. Rinkos prognozės rodo, kad 2 nm wafer'ų kainos gali būti iki 50 % aukštesnės už dabartines 3 nm normas. Tokia tendencija reikštų rimtą iššūkį lustų tiekėjams ir telefonų gamintojams, ypač tiems, kurie priklauso nuo trečiųjų šalių gamybos pajėgumų arba neturi ilgalaikių rezervacijų gamybai.
Apie pusę TSMC 2 nm pajėgumų, kaip pranešama, jau rezervavo Apple, o tai gali apriboti Qualcomm ir MediaTek galimybes iškart pereiti prie 2 nm gamybos didelėmis apimtimis. Tokiu atveju kai kurie gamintojai gali apsvarstyti alternatyvas, tokią kaip tęsti inovacijas 3 nm linijose arba glaudinti partnerystes su gamyklomis, kurios siūlo konkurencingus 2 nm variantus.
TSMC planuoja apie 60 000 2 nm wafer'ų per mėnesį keturiose gamyklose, o tai rodo, kad pradinis 2 nm pajėgumas yra reikšmingas, bet tuo pačiu ir ribotas. Pirmieji 2 nm AP greičiausiai atsiras aukščiausios klasės telefonuose, pvz., Galaxy S26 Pro ir S26 Edge, o kai kuriose rinkose jie gali būti varomi Samsung Exynos 2600, pagamintu Samsung Foundry 2 nm mazgu.
GAA tranzistorių architektūra, kuri bus naudojama ir TSMC, ir Samsung Foundry 2 nm procesuose, leidžia toliau mažinti nuotėkį ir padidinti efektyvumą. GAA leidžia geriau kontroliuoti kanalo lauką, todėl tranzistoriai tampa efektyvesni ir tinkami aukštesniems dažniams ar ilgesniam baterijos naudojimui. Tačiau GAA įdiegimas reikalauja specifinių gamybos procesų ir naujų gamybinių priemonių, kas taip pat prisideda prie didesnių pradinių sąnaudų.
Be to, artėjant A14 (1,4 nm, pažymėta kaip angstrai) ir vėlesnėms technologijoms, pramonėje tikėtini eksperimentai su naujomis medžiagomis ir architektūromis, įskaitant heterogenišką integraciją (chiplet) ir naujus interconnect sprendimus, kad būtų galima išlaikyti našumo augimą be proporcingo kaštų didėjimo. Tokios permainos gali pakeisti ilgalaikę lustų dizaino ir gamybos ekosistemą.
Galiausiai, šios tendencijos reiškia, kad aukščiausios klasės telefonai, kurie pirmaujantys technologijų diegime, gali būti brangesni pirmosiomis išleidimo savaitėmis. Tačiau per metus, kai gamyba plečiasi ir tiekimo grandinės optimizuojamos, kainos dažnai stabilizuojasi arba sumažėja, todėl vartotojai, kurie gali palaukti, gali gauti geresnę kainos ir našumo santykio vertę.
Rinkoms ir vartotojams taip pat svarbu stebėti alternatyvius sprendimus: lustų diegimas per kelis mazgus, optimizacija per programinę įrangą, investicijos į efektyvesnę aušinimo technologiją ir tinkamų baterijų sprendimų diegimas. Tokios priemonės gali padėti sumažinti vartotojui juntamą kainos padidėjimą ir padaryti naujas technologijas prieinamesnes platesniam auditorijos ratui.
Apibendrinant, TSMC kainų pasikeitimai, perėjimas prie 2 nm ir vėlesnių mazgų bei strateginiai savo klientų rezervacijos sprendimai formuos lustų rinką artimiausiais metais. Gamintojai, kurie sugebės pasinaudoti ilgesnio laikotarpio sutartimis, diversifikuoti tiekimą ir optimizuoti lustų dizainą, išliks konkurencingi, tuo tarpu kiti gali susidurti su kainų augimo iššūkiais, kurie galiausiai atsispindės ir galutinėje įrenginių kainoje.
Išvados ir praktiniai patarimai vartotojams
Jei planuojate įsigyti Galaxy S26 arba kitą aukštos klasės modelį artimiausiais mėnesiais, apsvarstykite keletą strategijų: pirkti ne iš karto leidimo dieną, sekti akcijas ir gamintojo pasiūlymus, arba pasirinkti variantus su ankstesnės kartos lustais, kurie dažnai pasižymi geru kainos ir našumo santykiu. Verslams rekomenduojama stiprinti santykius su tiekėjais, diversifikuoti lustų šaltinius ir analizuoti ilgalaikes gamybos rezervacijas, kad sumažintų riziką nuo greitų rinkos svyravimų.
Galiausiai, svarbu stebėti rinkos pranešimus apie TSMC, Samsung Foundry ir kitų gamyklų gamybos pajėgumus bei kainų politiką. Tokia informacija padės geriau suprasti laiko žygius ir prognozuoti, kada naujų mazgų privalumai taps prieinami platesnei rinkai be didelio kainos priedo.
Šaltinis: phonearena
Palikite komentarą