3 Minutės
„Samsung“ tyliai, bet ryžtingai išsiveržė į priekį: bendrovė pradėjo siųsti savo septintosios kartos didelio pralaidumo atminties HBM4E pavyzdžius svarbiausiems klientams, praėjus keliems mėnesiams po to, kai pradėjo tiekti HBM4 pirmaujantiems DI aparatinės įrangos gamintojams.
Spartos prieaugis yra apčiuopiamas. Naujoji HBM4E naudoja 12 sluoksnių paketą, kuris užtikrina maždaug 20 % didesnį našumą ir apie 16 % geresnį energijos vartojimo efektyvumą, palyginti su HBM4. Vieno kontakto signalo perdavimo sparta siekia 14 Gb/s, paliekant rezervą kilti iki maždaug 16 Gb/s, o bendras pralaidumas priartėja prie 3,6 TB/s.
Už šių skaičių slypi rimti inžineriniai sprendimai. „Samsung“ sujungė šeštosios kartos 10 nm klasės DRAM gamybos procesą (1c) su 4 nm logikos pagrindo kristalu iš „Samsung Foundry“. Rezultatas: didesnė išeiga ir pažangesnis šiluminis veikimas. „Samsung“ teigia, kad šiluminė varža pagerėjo daugiau nei 14 %, o tai gali atrodyti kaip nedidelis rodiklis, tačiau jis tampa itin svarbus, kai atmintis veikia greta itin kaistančių greitintuvų.
Talpos pasirinkimai prasideda nuo 48 GB, 12 sluoksnių paketo, kuris yra maždaug 30 % tankesnis nei įprastas HBM4 paketas. Planuose taip pat numatyta 8 sluoksnių 32 GB versija ir vėlesnis 16 sluoksnių 64 GB modulis, todėl sistemų kūrėjai turės daugiau galimybių derinti energijos sąnaudas, tankį ir kainą.
Kodėl tai turėtų rūpėti inžinieriams? Todėl, kad kiekvienas spartos ar energijos sąnaudų procentas dideliuose modeliuose ir stambiuose klasteriuose sumuojasi. Didesnė vieno kontakto sparta ir geresnis atsparumas šilumai palengvina integravimą GPU ir DI greitintuvų gamintojams, kurie siekia iš ribotų serverių stovų ir biudžetų išspausti daugiau mokymo našumo.
„Samsung“ atminties padalinys HBM4E pristato kaip natūralų HBM4 proveržio tęsinį ir kaip atsaką į ankstesnius nesklandumus diegiant HBM3E. Bendrovė teigia, kad klientų atsiliepimai apie HBM4 buvo stiprūs, o išankstinės investicijos į gamyklas jau duoda rezultatų didinant tiekimą DI rinkai.
Pavyzdžiai reiškia vieną dalyką: prasidėjo patvirtinimo ciklai. Rinka stebės, kurie greitintuvai pasirinks HBM4E ir kaip greitai didesnė sparta bei didesni paketai pasirodys realiose mokymo ir inferencijos apkrovose. Būtent pritaikymas praktikoje parodys, ar HBM4E pakeis atminties lūkesčius kitai DI aparatinės įrangos bangai.
Šaltinis: sammobile
Palikite komentarą