„Samsung“ sutiko su „Nvidia“ prašymu dalį bendrovės specialiai pritaikytos didelio pralaidumo HBM4E atminties, parduodamos kaip NVHBM, gaminti naudojant TSMC 3 nanometrų technologinį procesą.

„Nvidia“ prašymo apimtis ir NVHBM vaidmuo

„Nvidia“ paprašė trijų pagrindinių HBM tiekėjų dalį atminties komponentų gaminti naudojant TSMC 3 nm litografijos procesą. Taip siekiama užtikrinti vienodą našumą ir supaprastinti skirtingų tiekėjų sprendimų patvirtinimą. Kalbama apie specialiai pritaikytą HBM4E atmintį, kurią „Nvidia“ vadina NVHBM ir planuoja naudoti savo dirbtinio intelekto infrastruktūroje.

  • Micron
  • SK hynix
  • Samsung

Plokštelių gamybos pasidalijimas ir vidinis „Samsung“ procesas

Nors dalis NVHBM silicio plokštelių bus gaminama naudojant TSMC 3 nm procesą, kitos atminties modulių dalys bus gaminamos pačiose „Samsung“ gamyklose, taikant bendrovės šeštosios kartos litografijos procesą „1c“. „Samsung“ anksčiau bendradarbiavo su TSMC lustų pakavimo srityje, tačiau TSMC silicio plokštelių gamyba „Samsung“ sukurtai atminčiai būtų precedento neturintis atvejis „Samsung“ gamybos istorijoje.