„Samsung“ kuria tris specializuotus Z-NAND atminties variantus – Z-NAND-O, Z-NAND-T ir Z-NAND-I. Kiekvienas jų skirtas skirtingoms dirbtinio intelekto infrastruktūros užduotims.

Apie šiuos projektus pranešė „ZDNet“, kuri taip pat paminėjo rugpjūtį JAV vykusiame atminties pramonės renginyje pristatytą Z-NAND-O maketą. Pirminis straipsnis paskelbtas 2026 m. spalio 12 d., jo autorius – Min-jun Kim.

Z-NAND-O naudoja per silicį einančių jungčių (TSV) technologiją, leidžiančią vertikaliai sudėti NAND lustus į keturis arba aštuonis sluoksnius. „Samsung“ teigia, kad Z-NAND-O turėtų padidinti duomenų perdavimo spartą ir energijos vartojimo efektyvumą DI sistemose, veikiančiose mobiliuosiuose bei kituose prijungtuose įrenginiuose.

Z-NAND-T orientuota į pralaidumą. Šis variantas skirtas didelio našumo DI duomenų centrams, kuriems reikia efektyviai perkelti didelius duomenų kiekius.

Z-NAND-I pirmenybę teikia įvesties ir išvesties operacijų skaičiui per sekundę (IOPS), kuris parodo, kiek skaitymo ir rašymo operacijų gali atlikti atmintis.

„Samsung“ kol kas oficialiai nepaskelbė visos produktų linijos, specifikacijų ar šių trijų variantų pristatymo terminų.

Trijų krypčių strategija rodo, kad „Samsung“ ketina pritaikyti NAND technologiją konkrečioms DI darbo apkrovoms, užuot rėmusis vienu universaliu sprendimu.

„SK Hynix“ laikosi panašios strategijos su AI-NAND produktų šeima: AIN P skirtas našumui, AIN D – saugojimo tankiui, o AIN B – duomenų perdavimo pralaidumui.

Plėtojantis DI infrastruktūrai, individualiai pritaikyta NAND atmintis gali tapti vis svarbesnė greta įprastinės atminties ir duomenų saugojimo sprendimų.